InSb薄膜相关论文
本文采用分子束外延（MBE）方法在GaAs（001）衬底上优化低温缓冲层生长条件制备了异质外延InSb薄膜,采用原子力显微镜（AFM）、扫描电镜（SEM）与X......
InSb单晶作为III-V族半导体材料中禁带宽度最窄的二元化合物材料,在中红外探测波段有着很重要的应用。同时,随着人们对非晶的研究......
采用分子束外延方法在GaAs(001)衬底上生长了InSb外延薄膜,其中采用“二步法”制备了不同厚度的低温InSb缓冲层结构。利用Mullins......
摘要:综述了InSb薄膜的制备方法,氧化和热处理工艺,以及InSb薄膜的发展现状,介绍了InSb薄膜的分析方法和在各类磁阻元件和传感器中......
InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中.热导率及其温度特性是影响薄膜实际应用......
相变材料是当今工程中的热门材料,广泛应用于信息存储、储热散热、光热印刷等技术中。在信息存储中,其产品相变存储器甚至有望成为......
对真空分层蒸镀的InSb薄膜进行了区域溶融热处理，与普通升温热处理相比，薄膜的结晶度和电学性能有较大的提高。应用成膜理论分析了区......
